集成電路失效分析與3D定位設備

集成電路失效分析與3D定位設備，又叫超導法電故障隔離顯微鏡EFI Microscope能給出所有靜態缺陷位置：短路，漏電，開路。用于集成電路與3D電子器件的短路、漏電、開路故障檢測并精確定位。

集成電路失效分析與3D定位設備該產品集成超導量子干涉器件SQUID與空間域反射SDR技術，在器件封裝以及印刷電路板中，是非常有效的非常獨特的短路、漏電、開路定位裝置。集成電路失效分析與3D定位設備可用于重要電子器件的可靠性分析與失效定位，如芯片制造，航空航天等領域。

集成電路失效分析與3D定位設備應用領域 

3D缺陷

當直流電路徑可用時，計算從樣品表面到電流路徑的距離來定位

封裝短路

對于Magma microscopes來說是一個絕配，因為磁場可以透過所有物質，比如粉末與接地面，硅，成型化合物等。

Die shorts 硅切片（Die）短路

用高分辨率探頭定位，空間分辨率好于500nm。磁場分辨率不受波長限制，但只受探頭尺寸與掃描距離限制。

漏電

具有500nA的電流靈敏度，可以找出百萬歐姆電阻的漏電。典型的失效，如電遷移與樹突構成地方的高電流/高電壓會彌合樣品，可以用Magma microscopes很好的解決。

開路失效

用新的空間區域反射計（SDR）技術，在探測RF磁場時脈沖一個高頻信號（20MHz to 200MHz），可以發現開路失效，使用該技術，在帶堆疊切片，TSV與中介層的SOC封裝上，可以定位硅器件中的開路失效。

集成電路失效分析與3D定位設備能同時實現失效分析與定位，通過檢測集成電路的短路、開路、漏電及其相關位置，可用于檢測電子器件的失效與可靠性，用于微電子半導體行業與航空航天。