集成電路失效分析與3D定位設備
添加時間:2017-03-15 09:51:00
集成電路失效分析與3D定位設備,又叫超導法電故障隔離顯微鏡EFI Microscope能給出所有靜態缺陷位置:短路,漏電,開路。用于集成電路與3D電子器件的短路、漏電、開路故障檢測并精確定位。
集成電路失效分析與3D定位設備該產品集成超導量子干涉器件SQUID與空間域反射SDR技術,在器件封裝以及印刷電路板中,是非常有效的非常獨特的短路、漏電、開路定位裝置。集成電路失效分析與3D定位設備可用于重要電子器件的可靠性分析與失效定位,如芯片制造,航空航天等領域。
集成電路失效分析與3D定位設備應用領域
3D缺陷
當直流電路徑可用時,計算從樣品表面到電流路徑的距離來定位
封裝短路
對于Magma microscopes來說是一個絕配,因為磁場可以透過所有物質,比如粉末與接地面,硅,成型化合物等。
Die shorts 硅切片(Die)短路
用高分辨率探頭定位,空間分辨率好于500nm。磁場分辨率不受波長限制,但只受探頭尺寸與掃描距離限制。
漏電
具有500nA的電流靈敏度,可以找出百萬歐姆電阻的漏電。典型的失效,如電遷移與樹突構成地方的高電流/高電壓會彌合樣品,可以用Magma microscopes很好的解決。
開路失效
用新的空間區域反射計(SDR)技術,在探測RF磁場時脈沖一個高頻信號(20MHz to 200MHz),可以發現開路失效,使用該技術,在帶堆疊切片,TSV與中介層的SOC封裝上,可以定位硅器件中的開路失效。
集成電路失效分析與3D定位設備能同時實現失效分析與定位,通過檢測集成電路的短路、開路、漏電及其相關位置,可用于檢測電子器件的失效與可靠性,用于微電子半導體行業與航空航天。